BR24G08FVJ-3GTE2 | ROHM Semiconductor | Микросхема памяти

Описание

Описание:

_x000D_

BR24G08FVJ-3GTE2 | ROHM Semiconductor | Микросхема памяти 

_x000D_

Поставщик: Rohm Semiconductor.

_x000D_

Сроки поставки: 3-5 недель.

_x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_

ТИП	ОПИСАНИЕ
Категории	Интегральные схемы (ИС)
	Место хранения
Производитель	Rohm Semiconductor
серии	-
упаковка	Лента и катушка - TR
Статус компонента	активный
Тип хранилища	Энергонезависимая
Формат хранения	EEPROM
технология	EEPROM
Размер памяти	8 КБ (1 КБ x 8)
Интерфейс хранилища	I²C
Тактовая частота	400 кГц
Время цикла записи - слово, страница	5 мс
Напряжение питания	1,6–5,5 В
рабочая температура	От -40 ° C до 85 ° C (TA)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус / оболочка	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 дюйма, ширина 3,00 мм)
Тип жилья от поставщика	8-ЦСОП-ЛЮ
База номера детали	BR24G08