Описание

Тех. характеристики и описание на BSC050N03LSG транзистор Infineon:

мощный N-канальный MOSFET-транзистор BSC050N03LSG (полевой транзистор с изолированным затвором) от компании Infineon Technologies, созданный по технологии OptiMOS™ 3

• Тип канала: N-канальный (N-Channel)

• Максимальное напряжение сток-исток (\(V_{DS}\)): 30 В

• Максимальный постоянный ток стока (\(I_{D}\)): до 80 А (в зависимости от охлаждения и платы)

• Сопротивление канала в открытом состоянии (\(R_{DS(on)}\)): макс. 5 мОм (при \(V_{GS} = 10\text{ В}\))

• Корпус BSC050N03LSG: PG-TDSON-8 (SuperSO8 / 5x6 мм)

• Управление логическим уровнем (Logic Level):

• Высокоэффективные преобразователи напряжения (DC/DC converters)

• Импульсные блоки питания (SMPS)

• Цепи питания процессоров и видеокарт (VRM)

• Портативная электроника и ноутбуки

BSC050N03LSG купить