BSM75GD120DN2 Модуль Infineon

Описание

Описание на BSM75GD120DN2 Модуль Infineon

_x000D_

Производитель: Инфинеон

_x000D_

Категория продукта: модули IGBT

_x000D_

Продукт: Кремниевые модули IGBT

_x000D_

Конфигурация: шестигранник

_x000D_

Напряжение коллектор-эмиттер VCEO макс.: 1200 В

_x000D_

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2,5 В

_x000D_

Ток коллектора постоянного тока при 25 C: 103 A

_x000D_

Ток утечки затвор-эмиттер: 320 нА

_x000D_

Pd - Рассеиваемая мощность: 520 Вт

_x000D_

Корпус: EconoPACK 3A

_x000D_

Минимальная рабочая температура: - 40 С

_x000D_

Максимальная рабочая температура: +150 С

_x000D_

Торговая марка: Инфинеон Технологии

_x000D_

Высота: 17 мм

_x000D_

Длина: 122 мм

_x000D_

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 В

_x000D_

Тип крепления: Крепление на шасси

_x000D_

Тип продукта: Модули IGBT

_x000D_

Подраздел: IGBTs

_x000D_

Технология: Si

_x000D_

Ширина: 62 мм

_x000D_

Псевдонимы: SP000100364 BSM75GD120DN2BOSA1

_x000D_

Вес: 367,802 г