2136.png
2136.png
CSD86311W1723 Texas Instruments - Транзистор
CSD86311W1723 Texas Instruments - Транзистор
Цена 64,00 руб
Скидка
Размер налога
Price / кг:
Описание
Описание:
CSD86311W1723 Texas Instruments - Транзистор
Технические характеристики:
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - массивы
Производитель: Texas Instruments
Сроки поставки: 3-5 недель
Особенности продукта
|
ТИП
|
ОПИСАНИЕ
|
|---|---|
|
категория
|
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
|
|
Произв.
|
Инструменты Техаса
|
|
ряд
|
NextFET™
|
|
кожух
|
Лента и катушка - TR
Секция ремня (CT)
Digi-Reel®
|
|
Статус компонента
|
активный
|
|
тип полевого транзистора
|
2 N-канальных (двойных)
|
|
полевой транзистор
|
вентиль логического уровня
|
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
25В
|
|
Ток - непрерывный, слив (Id) при 25°C
|
4,5 А
|
|
Rds(On) (Max) при Id, Vgs
|
39мОм при 2А, 8В
|
|
Vgs(th) (макс.) при Id
|
1,4 В при 250 мкА
|
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
|
4 нКл при 4,5 В
|
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
585 пФ при 12,5 В
|
|
Мощность - Макс.
|
1,5 Вт
|
|
рабочая температура
|
от -55°C до 150°C (ТДж)
|
|
Тип крепления
|
Поверхностное крепление
|
|
Корпус/оболочка
|
12-УФБГА, ДСБГА
|
|
Тип корпуса от поставщика
|
12-ДСБГА
|
|
Базовый номер продукта
|
CSD86311
|