FF150R12KT3G Модуль Infineon

Описание

Описание на FF150R12KT3G Модуль Infineon

_x000D_

Производитель: Инфинеон

_x000D_

Категория продукта: модули IGBT

_x000D_

Продукт: Кремниевые модули IGBT

_x000D_

Конфигурация: Двойной

_x000D_

Напряжение коллектор-эмиттер VCEO макс.: 1200 В

_x000D_

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2,15 В

_x000D_

Ток коллектора постоянного тока при 25 C: 225 A

_x000D_

Ток утечки затвор-эмиттер: 400 нА

_x000D_

Pd - Рассеиваемая мощность: 780 Вт

_x000D_

Упаковка/футляр: 62 мм

_x000D_

Минимальная рабочая температура: - 40 С

_x000D_

Максимальная рабочая температура: +125 С

_x000D_

Торговая марка: Инфинеон Технологии

_x000D_

Высота: 30,9 мм

_x000D_

Длина: 106,4 мм

_x000D_

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 В

_x000D_

Тип крепления: Крепление на шасси

_x000D_

Тип продукта: Модули IGBT

_x000D_

Серия: Trench/Fieldstop IGBT3 - T3

_x000D_

Подраздел: IGBTs

_x000D_

Технология: Si

_x000D_

Ширина: 61,4 мм

_x000D_

Псевдонимы: SP000100788 FF150R12KT3GHOSA1