FF200R12KT4 Модуль Infineon

Описание

Описание на FF200R12KT4 Модуль Infineon

_x000D_

Производитель: Инфинеон

_x000D_

Категория продукта: Модули IGBT

_x000D_

Конфигурация: Двойная

_x000D_

Напряжение коллектор-эмиттер VCEO макс.: 1,2 кВ

_x000D_

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,75 В.

_x000D_

Коллектор постоянного тока при 25 С: 320 А

_x000D_

Ток утечки затвор-эмиттер: 400 нА

_x000D_

Pd - потери мощности: 1,1 кВт

_x000D_

Упаковка/корпус: 62 мм

_x000D_

Минимальная рабочая температура: - 40 С.

_x000D_

Максимальная рабочая температура: + 150 С

_x000D_

Бренд: Infineon Technologies

_x000D_

Высота: 30,5 мм

_x000D_

Длина: 106,4 мм

_x000D_

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 В.

_x000D_

Тип крепления: Крепление на шасси

_x000D_

Тип продукта: Модули IGBT

_x000D_

Серия: Trench/Fieldstop IGBT4 - T4

_x000D_

Подкатегория: IGBT

_x000D_

Ширина: 61,4 мм

_x000D_

Псевдонимы: SP000370618 FF200R12KT4HOSA1