IXDN75N120IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS - Транзистор IGBT

Описание

Описание: IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS - Транзистор IGBT

_x000D_

Технические характеристики:

_x000D_

IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B

_x000D_

Транзисторы - IGBT - Модули

_x000D_

Производитель: IXYS Corporation .

_x000D_

Артикулы по совпадению: IXDN75N120

_x000D_

Производитель  IXYS

_x000D_

Тип модуля  IGBT

_x000D_

Конструкция диода  одиночный транзистор

_x000D_

Обратное напряжение макс.  1,2кВ

_x000D_

Ток коллектора  150А

_x000D_

Корпус  SOT227B

_x000D_

Электрический монтаж  винтами

_x000D_

Напряжение затвор – эмиттер  ±20В

_x000D_

Ток коллектора в импульсе  190А

_x000D_

Рассеиваемая мощность  660Вт

_x000D_

Технология  NPT

_x000D_

Механический монтаж  винтами

_x000D_

IXDN75N120