IXTH8P50.jpgIXTH8P50.jpg

IXTH8P50MOSFET P-CH 500V 8A TO247 IXYS - Транзистор

  • datasheet_url :
    IXTH8P50.PDF
IXTH8P50_x000D_
MOSFET P-CH 500V 8A TO247 IXYS - Транзистор
Цена 1265,00 руб
Скидка
Размер налога
Price / кг:

Описание

Описание:

_x000D_

IXTH8P50 MOSFET P-CH 500V 8A TO247 IXYS - Транзистор

_x000D_

Технические характеристики:

_x000D_

IXTH8P50 MOSFET P-CH 500V 8A TO247

_x000D_

Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные

_x000D_

Производитель: IXYS Corporation .

_x000D_

 

_x000D_

Артикулы по совпадению:

_x000D_

IXTH8P50

_x000D_

Производитель: IXYS

_x000D_

Категория продукта: МОП-транзистор

_x000D_

Технология: Si

_x000D_

Тип крепления: Сквозное отверстие

_x000D_

Упаковка/футляр: ТО-247-3

_x000D_

Полярность транзистора: P-канальный

_x000D_

Количество каналов: 1 канал

_x000D_

Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 500 В

_x000D_

Id — постоянный ток стока: 8 А

_x000D_

Rds On — сопротивление сток-исток: 1,2 Ом

_x000D_

Vgs - Напряжение затвор-исток: -20В, +20В

_x000D_

Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 5 В

_x000D_

Qg - Заряд затвора: 130 нКл

_x000D_

Минимальная рабочая температура: - 55 С

_x000D_

Максимальная рабочая температура: +150 С

_x000D_

Pd - Рассеиваемая мощность: 180 Вт

_x000D_

Режим канала: улучшение

_x000D_

Серия: IXTH8P50

_x000D_

Торговая марка: IXYS

_x000D_

Конфигурация: одиночная

_x000D_

Время спада: 35 нс

_x000D_

Прямая проводимость (прямая крутизна) мин.: 4 с

_x000D_

Высота: 21,46 мм

_x000D_

Длина: 16,26 мм

_x000D_

Тип продукта: МОП-транзистор

_x000D_

Время нарастания: 27 нс

_x000D_

Подраздел: МОП-транзисторы

_x000D_

Тип транзистора: 1 P-канальный

_x000D_

Тип: МОП-транзистор стандартной мощности

_x000D_

Время задержки выключения управления: 35 нс

_x000D_

Типичное время задержки включения: 33 нс

_x000D_

Ширина: 5,3 мм

Back to: Транзисторы IXYS