IXZ2210N50L2RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 IXYS - Транзистор

Описание

Описание:

_x000D_

IXZ2210N50L2 RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 IXYS - Транзистор

_x000D_

Технические характеристики:

_x000D_

IXZ2210N50L2 RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275

_x000D_

Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - ВЧ

_x000D_

Производитель: IXYS Corporation .

_x000D_

Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками

_x000D_

Артикулы по совпадению:

_x000D_

IXZ2210N50L2

_x000D_

Категория продукта: РЧ МОП-транзисторы

_x000D_

Полярность транзистора: двойной N-канал

_x000D_

Технология: Si

_x000D_

Id - Непрерывный ток стока: 10 А

_x000D_

Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 500 В

_x000D_

Rds On - Сопротивление сток-исток: 1 Ом

_x000D_

Рабочая частота: от 2 МГц до 110 МГц

_x000D_

Выходная мощность: 270 Вт

_x000D_

Минимальная рабочая температура: - 55 °C

_x000D_

Максимальная рабочая температура: + 150 °C

_x000D_

Способ монтажа: SMD/SMT

_x000D_

Корпус: SMD-8

_x000D_

Упаковка: Трубка

_x000D_

Бренд: IXYS Integrated Circuits

_x000D_

Прямая крутизна - мин.: 3,1 Ом

_x000D_

Количество каналов: 2 канала

_x000D_

Pd - Рассеиваемая мощность: 270 Вт

_x000D_

Тип продукта: РЧ МОП-транзисторы

_x000D_

Серия: IXZ221

_x000D_

Подкатегория: МОП-транзисторы

_x000D_

Тип: МОП-транзистор высокой мощности

_x000D_

Vgs - Напряжение затвор-исток: - 20 В, + 20 В

_x000D_

Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 4