- Описание
-
Описание SEMIX453GB176HDS | SEMIKRON | Модуль IGBT SEMIX
Технические характеристики
SEMIX453GB176HDS :Производитель: Semikron.
Группа Модули IGBT SEMIX
Конфигурация IGBT: двойной
Полярность транзистора: канал N
Ток коллектора постоянного тока: 444 А
Непрерывный ток коллектора: 444А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce(on): 1,7 кВ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,7 кВ
Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 1,7кВ
Максимальная рабочая температура: 150°C
Температура перехода, Tj Макс.: 150°C
Стиль корпуса транзистора: Модуль
Завершение IGBT: запрессовка
контактов: 7 контактов
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1,7 кВ
Технология IGBT: IGBT 3
- Сопутствующие товары
-
- Отзыв
-
ОтзывЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
| +7 (495) 66-99-572 | или Закажите звонок |
Сравнение
0
|
Перейти к сравнению
/katalog/compare/
/katalog/compare/view
5
Перейти к сравнению
Добавить к сравнению
|