- Описание
-
Описание
SKiiP35NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT
Технические характеристики
SKiiP35NAB12T4V1: семейство MiniSKiiP, напряжение (V) 1200, ток (A) 50, Chip-Type IGBT 4 (Trench), корпус MiniSKiiP II 3Switches 7
Производитель SEMIKRON
Тип модуля IGBT
Конструкция диода диод/транзистор
Топология 3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT, boost chopper, термистор NTC
Обратное напряжение макс. 1,2кВ
Ток коллектора 50А
Мощность 15кВт
Корпус MiniSKiiP® 3
Применение инвертор, преобразователь частоты
Электрический монтаж Press-Fit
Напряжение затвор – эмиттер ±20В
Ток коллектора в импульсе 150А
Механический монтаж винтами
- Сопутствующие товары
-
- Отзыв
-
ОтзывЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
| +7 (495) 66-99-572 | или Закажите звонок |
Сравнение
0
|
Перейти к сравнению
/katalog/compare/
/katalog/compare/view
5
Перейти к сравнению
Добавить к сравнению
|