- Описание
-
Описание
SKM900GA12E4 | SEMIKRON | Модуль IGBT
Технические характеристики
SKM900GA12E4: семейство SEMITRANS, напряжение (V) 1200, ток (A) 900, Chip-Type IGBT 4 (Trench), корпус SEMITRANS 4Switches 1
Производитель SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля IGBT
Полупроводниковая структура один транзистор
Макс. напряжение в закрытом состоянии 1,2 кВ
Ток коллектора 900 А
Корпус SEMITRANS4
Применение для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем
Электрическое крепление винт
Напряжение затвор-эмиттер ±20 В
Импульсный ток коллектора 2,7 кА
Механическое крепление винт
- Сопутствующие товары
-
- Отзыв
-
ОтзывЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
| +7 (495) 66-99-572 | или Закажите звонок |
Сравнение
0
|
Перейти к сравнению
/katalog/compare/
/katalog/compare/view
5
Перейти к сравнению
Добавить к сравнению
|