MRF101BNRF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 | NXP | Транзистор

Описание

Описание:

MRF101BN RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3 | NXP | Транзистор

Технические данные:

MRF101BNRF MOSFET LDMOS 50V TO220-3

Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - ВЧ

Производитель: NXP

Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками

Артикулы по совпадению:

14752

MRF101BN

мощный широкополосный радиочастотный (RF) полевой N-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по полупроводниковой технологии LDMOS (Lateral Diffused MOSFET) от компании NXP Semiconductors

• Тип проводимости: N-канальный (Enhancement-mode)

• Диапазон частот: от 1.8 МГц до 250 МГц

• Выходная мощность (CW / непрерывный режим): ~100 Вт (например, до 115–130 Вт в зависимости от частоты, например, 115 Вт на 87.5–108 МГц)

• Напряжение питания (VDD): 50 В (максимальное напряжение сток-исток \(V_{DSS}\): от -0.5 до +133 В)

• Напряжение затвор-исток (\(V_{GS}\)): от -6.0 до +10 В

• Максимальная рассеиваемая мощность (\(P_{D}\)): 182 Вт

• Тип корпуса: пластиковый формованный TO-220-3L (исполнение с зеркальным расположением выводов по сравнению с версией MRF101AN). Обратная сторона фланца (термопанель) электрически соединена с выводом истока (Source).

• Рассредоточенная стойкость к рассогласованию (Ruggedness): выдерживает КСВ (VSWR) более 65:1 при любых углах фазы без деградации структуры.

• Встроенная защита: от электростатического разряда (ESD)

Основные области применения:

• Промышленные, научные и медицинские (ISM) установки

• Широкополосные и линейные усилители мощности HF и VHF диапазонов

• КВ и УКВ радиосвязь

• Радио- и УКВ-ТВ вещательные передатчики

• Импульсные блоки питания и генераторы плазмы (например, на частотах 13.56 МГц, 27 МГц, 40.68 МГц)

MRF101BN купить