MRF8S9120NR3RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2 | NXP | Транзистор

Описание

Описание:

_x000D_

MRF8S9120NR3 RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2 | NXP | Транзистор

_x000D_

Технические данные:

_x000D_

MRF8S9120NR3 RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2

_x000D_

Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - ВЧ

_x000D_

Производитель: NXP

_x000D_

Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками

_x000D_

Артикулы по совпадению:

_x000D_

14074-2 14074-1 14074-6  MRF8S9120NR3

_x000D_

Производитель: NXP

_x000D_

Категория продукта: MOSFET RF транзисторы

_x000D_

Полярность транзистора: N-канальный

_x000D_

Технология: Си

_x000D_

Идентификатор — сток постоянного тока: 2А

_x000D_

Vds — напряжение пробоя сток-исток: 70 В

_x000D_

Rds включен – резистор сток-исток:-

_x000D_

Рабочая частота: от 700 МГц до 1 ГГц

_x000D_

Усиление: 20 дБ

_x000D_

Выходная мощность: 33 Вт

_x000D_

Минимальная рабочая температура: - 30 С.

_x000D_

Максимальная рабочая температура: + 150 С

_x000D_

Тип монтажа: СМД/СМТ

_x000D_

Упаковка/Корпус: OM-780-2

_x000D_

Бренд: NXP Semiconductors

_x000D_

Конфигурация: Одиночная

_x000D_

Чувствительность к влаге: Да

_x000D_

Тип продукта: RF MOSFET транзисторы

_x000D_

Серия: MRF8S9120N

_x000D_

Подкатегория: МОП-транзисторы

_x000D_

Тип: РЧ-мощный МОП-транзистор

_x000D_

Vgs — напряжение затвор-исток: 10 В

_x000D_

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2,2 В

_x000D_

Псевдоним: 935310448528

_x000D_