2N5550TA | onsemi | Транзистор
Описание
Описание:
_x000D_2N5550TA | onsemi | Транзистор
_x000D_Технические данные:
_x000D_TRANS NPN 140V 600MA TO92-3
_x000D_Транзисторы onsemi
_x000D_Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT
_x000D_Технология: Si
_x000D_Тип монтажа: Сквозное отверстие
_x000D_Упаковка/Корпус: TO-92-3 изогнутый свинец
_x000D_Полярность транзистора: NPN
_x000D_Конфигурация: Одиночная
_x000D_Максимальный постоянный ток коллектора (DC): 600 мА
_x000D_Напряжение коллектор-эмиттер VCEO макс.: 140 В
_x000D_Напряжение коллектор-база VCBO: 160 В
_x000D_Напряжение эмиттер-база VEBO: 6 В
_x000D_Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 250 мВ
_x000D_Pd - Рассеиваемая мощность: 625 мВт
_x000D_Коэффициент усиления полосы пропускания fT: 300 МГц
_x000D_Максимальная рабочая температура: + 150 С
_x000D_Серия: 2N5550
_x000D_Упаковка: Пачка боеприпасов
_x000D_Бренд: onsemi / Fairchild
_x000D_Постоянный ток коллектора: 600 мА
_x000D_Коллектор постоянного тока/извлечение базы hfe Мин: 60
_x000D_Коэффициент усиления постоянного тока hFE макс.: 250
_x000D_Высота: 4,7 мм
_x000D_Длина: 4,7 мм
_x000D_Тип продукта: BJT - Биполярные транзисторы
_x000D_Подкатегория: Транзисторы
_x000D_Ширина: 3,93 мм
_x000D_Производитель: onsemi
_x000D_Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками