UMH10NTN | ROHM Semiconductor | Транзистор

Описание

Описание:

_x000D_

UMH10NTN | ROHM Semiconductor | Транзистор 

_x000D_

Поставщик: Rohm Semiconductor.

_x000D_

Сроки поставки: 3-5 недель.

_x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_ _x000D_

ТИП	ОПИСАНИЕ
Категории	Дискретные полупроводниковые изделия
	Транзисторы - биполярные (BJT) матрицы, со смещением
Производитель	Rohm Semiconductor
серии	-
упаковка	Лента и катушка - TR
Статус компонента	активный
Тип транзистора	2 NPN - предзагруженный (двукратный)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100 мА
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.)	50 В
Сопротивление - База (R1)	2.2кОм
Резистор - база эмиттера (R2)	47кОм
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) При Ic, Vce	80 при 10 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) При Ib, Ic	300 мВ при 250 мкА, 5 мА
Ток - коллектор, предельное значение (Ic) (макс.)	500 нА
Частотный переход	250 МГц
Мощность - макс.	150 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус / оболочка	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Тип жилья от поставщика	UMT6
База номера детали	* MH10

_x000D_