SEMIX453GB176HDS | SEMIKRON | Модуль IGBT SEMIX

Описание

Описание SEMIX453GB176HDS | SEMIKRON | Модуль IGBT SEMIX

_x000D_

Технические характеристики

_x000D_

SEMIX453GB176HDS :Производитель: Semikron.

_x000D_

Группа Модули IGBT SEMIX

_x000D_

Конфигурация IGBT: двойной

_x000D_

Полярность транзистора: канал N

_x000D_

Ток коллектора постоянного тока: 444 А

_x000D_

Непрерывный ток коллектора: 444А

_x000D_

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce(on): 1,7 кВ

_x000D_

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,7 кВ

_x000D_

Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 1,7кВ

_x000D_

Максимальная рабочая температура: 150°C

_x000D_

Температура перехода, Tj Макс.: 150°C

_x000D_

Стиль корпуса транзистора: Модуль

_x000D_

Завершение IGBT: запрессовка

_x000D_

контактов: 7 контактов

_x000D_

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1,7 кВ

_x000D_

Технология IGBT: IGBT 3