SKiiP11NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT

Описание

Описание SKiiP11NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT

_x000D_

Технические характеристики SKiiP11NAB12T4V1: семейство MiniSKiiP, напряжение (V) 1200, ток (A) 8, Chip-Type IGBT 4 (Trench), корпус MiniSKiiP II 1Switches 7

_x000D_

Производитель              SEMIKRON

_x000D_

Тип модуля       IGBT

_x000D_

Конструкция диода      диод/транзистор

_x000D_

Топология         3-фазный диодный мост,  boost chopper,  полумост IGBT x3,  термистор NTC

_x000D_

Обратное напряжение макс.    1,2кВ

_x000D_

Ток коллектора               8А

_x000D_

Мощность         4кВт

_x000D_

Корпус MiniSKiiP® 1

_x000D_

Применение     инвертор,  преобразователь частоты

_x000D_

Электрический монтаж              Press-Fit

_x000D_

Напряжение затвор - эмиттер  ±20В

_x000D_

Ток коллектора в импульсе       24А

_x000D_

Механический монтаж               винтами

_x000D_

Part Number: 25231580

_x000D_

Вес: 0.03 kg

_x000D_

Страна производства - Германия

_x000D_

SKiiP11NAB12T4V1 SKIIP 11NAB12T4V1