SKiiP1213GB123-2DL V3 | SEMIKRON | Модуль IGBT
Описание
Описание
SKiiP1213GB123-2DL V3 | SEMIKRON | Модуль IGBT
Технические характеристики
SKiiP1213GB123-2DL V3: семейство SKiiP 3, напряжение (V) 1200, ток (A) 1200, Chip-Type IGBT 3 (Trench), корпус SKiiP3Switches 2
• Тип устройства: Интеллектуальный IGBT-модуль / полумост (2-pack integrated intelligent power system)
• Напряжение (Voltage class): 1200 В (1.2 кВ)
• Ток (Current): 1200 А
• Технология кристаллов: Trench IGBT 3-го поколения + диоды CAL HD
• Конфигурация / Топология: Полумост (Half Bridge)
• Корпус: Серия SKiiP 3
• Встроенные компоненты: Схема управления (драйвер), датчики тока и температуры, а также интегрированный радиатор (теплоотвод)
• Габариты: примерно 200 × 215 × 156 мм
Основные области применения
• Промышленные электроприводы большой мощности
• Системы возобновляемой энергетики (ветроэнергетика, солнечные инверторы)
• Тяговые приводы (транспорт)
• Лифтовое оборудование
SKiiP1213GB123-2DL

