x 

Корзина пуста

skiip3.jpgskiip3.jpg

SKiiP1213GB123-2DL V3 | SEMIKRON | Модуль IGBT

SKiiP1213GB123-2DL V3 | SEMIKRON | Модуль IGBT

Описание

Описание

SKiiP1213GB123-2DL V3 | SEMIKRON | Модуль IGBT

Технические характеристики

SKiiP1213GB123-2DL V3: семейство SKiiP 3, напряжение (V) 1200, ток (A) 1200, Chip-Type IGBT 3 (Trench), корпус SKiiP3Switches 2

• Тип устройства: Интеллектуальный IGBT-модуль / полумост (2-pack integrated intelligent power system)

• Напряжение (Voltage class): 1200 В (1.2 кВ)

• Ток (Current): 1200 А

• Технология кристаллов: Trench IGBT 3-го поколения + диоды CAL HD

• Конфигурация / Топология: Полумост (Half Bridge)

• Корпус: Серия SKiiP 3

• Встроенные компоненты: Схема управления (драйвер), датчики тока и температуры, а также интегрированный радиатор (теплоотвод)

• Габариты: примерно 200 × 215 × 156 мм

Основные области применения

• Промышленные электроприводы большой мощности

• Системы возобновляемой энергетики (ветроэнергетика, солнечные инверторы)

• Тяговые приводы (транспорт)

• Лифтовое оборудование

SKiiP1213GB123-2DL