SKiiP35NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT

Описание

Описание

_x000D_

SKiiP35NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT

_x000D_

Технические характеристики

_x000D_

SKiiP35NAB12T4V1: семейство MiniSKiiP, напряжение (V) 1200, ток (A) 50, Chip-Type IGBT 4 (Trench), корпус MiniSKiiP II 3Switches 7

_x000D_

Производитель   SEMIKRON

_x000D_

Тип модуля   IGBT

_x000D_

Конструкция диода   диод/транзистор

_x000D_

Топология   3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT, boost chopper, термистор NTC

_x000D_

Обратное напряжение макс.   1,2кВ

_x000D_

Ток коллектора   50А

_x000D_

Мощность   15кВт

_x000D_

Корпус   MiniSKiiP® 3

_x000D_

Применение   инвертор, преобразователь частоты

_x000D_

Электрический монтаж   Press-Fit

_x000D_

Напряжение затвор – эмиттер   ±20В

_x000D_

Ток коллектора в импульсе   150А

_x000D_

Механический монтаж   винтами

_x000D_

SKiiP35NAB12T4V1  SKiiP 35NAB12T4V1