SKiiP37NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT

Описание

Описание

_x000D_

SKiiP37NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT

_x000D_

Технические характеристики

_x000D_

SKiiP37NAB12T4V1: семейство MiniSKiiP, напряжение (V) 1200, ток (A) 75, Chip-Type IGBT 4 (Trench), корпус MiniSKiiP II 3Switches 7

_x000D_

Производитель  СЕМИКРОН

_x000D_

Тип модуля  IGBT

_x000D_

Полупроводниковая структура  диод/транзистор

_x000D_

Топология  повышающий прерыватель, трехфазный мост IGBT, термистор NTC, трехфазный диодный мост

_x000D_

Макс. напряжение в закрытом состоянии  1,2 кВ

_x000D_

Ток коллектора  75А

_x000D_

Власть  22кВт

_x000D_

Корпус  МиниSKiiP® 3

_x000D_

Применение преобразователь частоты, инвертор

_x000D_

Электрический монтаж Пресс-фит

_x000D_

Напряжение затвор-эмиттер  ±20В

_x000D_

Импульсный ток коллектора  225А

_x000D_

Механический монтаж  винт