SKIIP39AHB16V1 | SEMIKRON | Транзистор IGBT

Описание

Описание

SKIIP39AHB16V1 | SEMIKRON | Транзистор IGBT

Технические характеристики

SKIIP39AHB16V1

:Производитель: Semikron.

Группа Транзисторы IGBT

Тип полупроводникового модуля IGBT

Полупроводниковая структура диод/тиристор/IGBT

Топология 3-фазный диод-тиристорный мост, повышающий преобразователь, NTC-термистор

Максимальное напряжение в выключенном состоянии 1,2 кВ

Коллекторный ток 121 А

Корпус MiniSKiiP® 3

Применение для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем

Электрический монтаж Запрессовка

Напряжение затвор-эмиттер ±20 В

Импульсный коллекторный ток 280 А

Механический монтаж винтовой

SKIIP39AHB16V1