SKM900GA12E4 | SEMIKRON | Модуль IGBT

Описание

Описание

_x000D_

SKM900GA12E4 | SEMIKRON | Модуль IGBT

_x000D_

Технические характеристики

_x000D_

SKM900GA12E4: семейство SEMITRANS, напряжение (V) 1200, ток (A) 900, Chip-Type IGBT 4 (Trench), корпус SEMITRANS 4Switches 1

_x000D_

Производитель  SEMIKRON DANFOSS

_x000D_

Тип модуля  IGBT

_x000D_

Полупроводниковая структура  один транзистор

_x000D_

Макс. напряжение в закрытом состоянии  1,2 кВ

_x000D_

Ток коллектора  900 А

_x000D_

Корпус  SEMITRANS4

_x000D_

Применение  для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем

_x000D_

Электрическое крепление  винт

_x000D_

Напряжение затвор-эмиттер  ±20 В

_x000D_

Импульсный ток коллектора  2,7 кА

_x000D_

Механическое крепление  винт