Описание

Описание SKiiP11NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT

_x000D_

Технические характеристики SKiiP11NAB12T4V1: семейство MiniSKiiP, напряжение (V) 1200, ток (A) 8, Chip-Type IGBT 4 (Trench), корпус MiniSKiiP II 1Switches 7

_x000D_

Производитель SEMIKRON

_x000D_

Тип модуля IGBT

_x000D_

Конструкция диода диод/транзистор

_x000D_

Топология 3-фазный диодный мост, boost chopper, полумост IGBT x3, термистор NTC

_x000D_

Обратное напряжение макс. 1,2кВ

_x000D_

Ток коллектора 8А

_x000D_

Мощность 4кВт

_x000D_

Корпус MiniSKiiP® 1

_x000D_

Применение инвертор, преобразователь частоты

_x000D_

Электрический монтаж Press-Fit

_x000D_

Напряжение затвор - эмиттер ±20В

_x000D_

Ток коллектора в импульсе 24А

_x000D_

Механический монтаж винтами

_x000D_

Part Number: 25231580

_x000D_

Вес: 0.03 kg

_x000D_

Страна производства - Германия

_x000D_

SKiiP11NAB12T4V1 SKIIP 11NAB12T4V1