SKIIP23NAB12T4V1.jpg
Описание SKiiP23NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT
_x000D_Технические характеристики SKiiP23NAB12T4V1: семейство MiniSKiiP, напряжение (V) 1200, ток (A) 25, Chip-Type IGBT 4 (Trench), корпус MiniSKiiP II 2Switches 7
_x000D_Производитель SEMIKRON
_x000D_Тип модуля IGBT
_x000D_Конструкция диода диод/транзистор
_x000D_Топология 3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT, buck chopper, термистор NTC
_x000D_Обратное напряжение макс. 1,2кВ
_x000D_Ток коллектора 25А
_x000D_Мощность 7,5кВт
_x000D_Корпус MiniSKiiP® 2
_x000D_Применение инвертор, преобразователь частоты
_x000D_Электрический монтаж Press-Fit
_x000D_Напряжение затвор - эмиттер ±20В
_x000D_Ток коллектора в импульсе 75А
_x000D_Механический монтаж винтами
_x000D_Part Number: 25231410
_x000D_Вес: 0.055 kg
_x000D_Страна производства Германия