Описание

_x000D_

SKiiP35NAB12T4V1 | SEMIKRON | Модуль IGBT

_x000D_

Технические характеристики

_x000D_

SKiiP35NAB12T4V1: семейство MiniSKiiP, напряжение (V) 1200, ток (A) 50, Chip-Type IGBT 4 (Trench), корпус MiniSKiiP II 3Switches 7

_x000D_

Производитель SEMIKRON

_x000D_

Тип модуля IGBT

_x000D_

Конструкция диода диод/транзистор

_x000D_

Топология 3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT, boost chopper, термистор NTC

_x000D_

Обратное напряжение макс. 1,2кВ

_x000D_

Ток коллектора 50А

_x000D_

Мощность 15кВт

_x000D_

Корпус MiniSKiiP® 3

_x000D_

Применение инвертор, преобразователь частоты

_x000D_

Электрический монтаж Press-Fit

_x000D_

Напряжение затвор – эмиттер ±20В

_x000D_

Ток коллектора в импульсе 150А

_x000D_

Механический монтаж винтами

_x000D_

SKiiP35NAB12T4V1 SKiiP 35NAB12T4V1