SKM300GAL12T4.jpg
Описание SKM300GAL12T4 | SEMIKRON | Модуль IGBT
_x000D_Технические характеристики SKM300GAL12T4: семейство SEMITRANS, напряжение (V) 1200, ток (A) 300, Chip-Type IGBT 4 Fast (Trench), корпус SEMITRANS 3Switches 1
_x000D_Конфигурация IGBT: одиночный
_x000D_Полярность транзистора: NPN
_x000D_Ток коллектора постоянного тока: 422 А
_x000D_Напряжение насыщения эмиттера коллектора Vce(on): 1,85 В
_x000D_Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 1,2кВ
_x000D_Температура перехода, Tj Макс.: 125°C
_x000D_Стиль корпуса транзистора: модуль
_x000D_Завершение IGBT: Шпилька
_x000D_Максимальная рабочая температура: 125°C
_x000D_Технология IGBT
_x000D_Part Number: 22892330
_x000D_Вес: 0.31 kg
_x000D_Страна производства Словакия