Описание

SKM400GB12V | SEMIKRON | Модуль IGBT

Технические характеристики

SKM400GB12V: семейство SEMITRANS, напряжение (V) 1200, ток (A) 400, Chip-Type V-IGBT, корпус SEMITRANS 3Switches 2

Тип полупроводникового модуля IGBT

Структура полупроводника транзистор/транзистор

Топология IGBT-полумост

Макс. напряжение в закрытом состоянии 1,2 кВ

Ток коллектора 400 А

Корпус SEMITRANS3

Применение для ИБП, инверторов, фотоэлектрических систем

Электрическое подключение разъемы FASTON, винтовое соединение

Напряжение затвор-эмиттер ±20 В

Импульсный ток коллектора 1,2 кА

Механическое крепление винтовое

SKM400GB12V