IXDN75N120IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS - Транзистор IGBT (Код: IXS-1004539)

Описание: IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS - Транзистор IGBT

Технические характеристики:

IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B

Транзисторы - IGBT - Модули

Производитель: IXYS Corporation .

Артикулы по совпадению: IXDN75N120

Производитель  IXYS

Тип модуля  IGBT

Конструкция диода  одиночный транзистор

Обратное напряжение макс.  1,2кВ

Ток коллектора  150А

Корпус  SOT227B

Электрический монтаж  винтами

Напряжение затвор – эмиттер  ±20В

Ток коллектора в импульсе  190А

Рассеиваемая мощность  660Вт

Технология  NPT

Механический монтаж  винтами

IXDN75N120