- Описание
-
Описание: IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS - Транзистор IGBT
Технические характеристики:
IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Транзисторы - IGBT - Модули
Производитель: IXYS Corporation .
Артикулы по совпадению: IXDN75N120
Производитель IXYS
Тип модуля IGBT
Конструкция диода одиночный транзистор
Обратное напряжение макс. 1,2кВ
Ток коллектора 150А
Корпус SOT227B
Электрический монтаж винтами
Напряжение затвор – эмиттер ±20В
Ток коллектора в импульсе 190А
Рассеиваемая мощность 660Вт
Технология NPT
Механический монтаж винтами
- Сопутствующие товары
-
- Отзыв
-
ОтзывЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
| +7 (495) 66-99-572 | или Закажите звонок |
Сравнение
0
|
Перейти к сравнению
/katalog/compare/
/katalog/compare/view
5
Перейти к сравнению
Добавить к сравнению
|