| IMH11AT110 | ROHM Semiconductor | Транзистор | Скачать PDF Datasheet |
- Описание
-
Описание:
IMH11AT110 | ROHM Semiconductor | Транзистор
Поставщик: Rohm Semiconductor.
Сроки поставки: 3-5 недель.
Особенности продуктаТИП ОПИСАНИЕ Категории Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы - биполярные (BJT) матрицы, со смещением Производитель Rohm Semiconductor серии - упаковка Лента и катушка - TR Статус компонента активный Тип транзистора 2 NPN - предзагруженный (двукратный) Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100 мА Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.) 50 В Сопротивление - База (R1) 10кОм Резистор - база эмиттера (R2) 10кОм Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) При Ic, Vce 30 при 5 мА, 5 В Насыщение Vce (макс.) При Ib, Ic 300 мВ при 500 мкА, 10 мА Ток - коллектор, предельное значение (Ic) (макс.) 500 нА Частотный переход 250 МГц Мощность - макс. 300 мВт Тип монтажа Поверхностный монтаж Корпус / оболочка СК-74, СОТ-457 Тип жилья от поставщика SMT6 База номера детали * MH11 - Сопутствующие товары
-
- Отзыв
-
ОтзывЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.