| UMH3NTN | ROHM Semiconductor | Транзистор | Скачать PDF Datasheet |
- Описание
-
Описание:
UMH3NTN | ROHM Semiconductor | Транзистор
Поставщик: Rohm Semiconductor.
Сроки поставки: 3-5 недель.
Особенности продуктаТИП ОПИСАНИЕ Категории Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы - биполярные (BJT) матрицы, со смещением Производитель Rohm Semiconductor серии - упаковка Лента и катушка - TR Статус компонента активный Тип транзистора 2 NPN - предзагруженный (двукратный) Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100 мА Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.) 50 В Сопротивление - База (R1) 4,7 кОм Резистор - база эмиттера (R2) - Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) При Ic, Vce 100 при 1 мА, 5 В Насыщение Vce (макс.) При Ib, Ic 300 мВ при 250 мкА, 5 мА Ток - коллектор, предельное значение (Ic) (макс.) - Частотный переход 250 МГц Мощность - макс. 150 мВт Тип монтажа Поверхностный монтаж Корпус / оболочка 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 Тип жилья от поставщика UMT6 База номера детали * MH3 - Сопутствующие товары
-
- Отзыв
-
ОтзывЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.