| CSD85312Q3E Texas Instruments - Транзистор | Скачать PDF Datasheet |
- Описание
-
Описание:
CSD85312Q3E Texas Instruments - Транзистор
Технические характеристики:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - массивы
Производитель: Texas Instruments
Сроки поставки: 3-5 недель
Особенности продуктаТИПОПИСАНИЕкатегорияДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - FET, MOSFET - МассивыПроизв.Инструменты ТехасарядNextFET™кожухЛента и катушка - TRСекция ремня (CT)Digi-Reel®Статус компонентаактивныйтип полевого транзистора2 N-канальный (двойной), общий истокполевой транзисторЛогический вентиль уровня, 5ВНапряжение сток-исток (Vdss)20ВТок - непрерывный, слив (Id) при 25°C39АRds(On) (Max) при Id, Vgs12,4 мОм при 10А, 8ВVgs(th) (макс.) при Id1,4 В при 250 мкАЗаряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs15,2 нКл при 4,5 ВВходная емкость (Ciss) (макс.) при Vds2390 пФ при 10 ВМощность - Макс.2,5 Втрабочая температураот -55°C до 150°C (ТДж)Тип крепленияПоверхностное креплениеКорпус/оболочка8-PowerVDFNТип корпуса от поставщика8-ВСОН (3,3х3,3)Базовый номер продуктаCSD85312 - Сопутствующие товары
-
- Отзыв
-
ОтзывЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.